CSD13306W - CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD13306W是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD13306W是CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,本页介绍了CSD13306W的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD13306W相关的TI元器件型号供参考。
CSD13306W - CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)
产品特性
- 超低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
- 低高度(高度为 0.62mm)
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
2 应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
产品说明
这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图产品概要
TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
VDS | 漏源电压 | 12 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 8.6 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 3.0 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 2.5V | 12.9 | mΩ |
VGS = 4.5V | 8.8 | mΩ | ||
VGS(th) | 电压阈值 | 1.0 | V |
订购信息(1)
器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
---|---|---|---|---|
CSD13306W | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
CSD13306WT | 250 | 7 英寸卷带 |
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