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CSD19533Q5A - 产品图解:
CSD19533Q5A-100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A
CSD19533Q5A-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD19533Q5A-CSD19533Q5A 100V N 通道  NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
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TI产品 - CSD19533Q5A介绍
CSD19533Q5A - 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A

CSD19533Q5A是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD19533Q5A是100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A,本页介绍了CSD19533Q5A的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD19533Q5A相关的TI元器件型号供参考。

CSD19533Q5A - 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
产品说明

这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压100V
Qg栅极电荷总量 (10V)27nC
Qgd栅漏栅极电荷4.9nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS= 6V8.7
VGS = 10V7.8
VGS(th)阀值电压2.8V
订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD19533Q5A13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD19533Q5AT7 英寸卷带250
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