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CSD25202W15 - 产品图解：
CSD25202W15 - CSD25202W15 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD25202W15是TI公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25202W15是CSD25202W15 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本页介绍了CSD25202W15的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD25202W15相关的TI元器件型号供参考。
CSD25202W15 - CSD25202W15 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 低电阻
- 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
2 应用范围
- 电池管理
- 电池保护
产品说明
这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 5.8 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 0.8 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -1.8V | 40 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 26 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 21 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | -0.75 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25202W15 | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.5mm x 1.5mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
| CSD25202W15T | 250 | 7 英寸卷带 |
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