CSD95375Q4M - 同步降压 NexFET? 功率级,CSD95375Q4M
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CSD95375Q4M - 同步降压 NexFET? 功率级,CSD95375Q4M - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)
产品特性
- 15A 电流时系统效率达 93%
- 最大额定持续电流 25A,峰值 60A
- 高频运行(高达 2MHz)
- 高密度 - 3.5 × 4.5mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
- 超低电感封装
- 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
- 超低静态 (ULQ) 电流模式
- 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
- 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
- 三态 PWM 输入
- 集成型自举二极管
- 击穿保护
- 符合 RoHS 环保标准 – 无铅端子镀层
- 无卤素
2 应用范围
- 超级本/笔记本 DC/DC 转换器
- 多相 Vcore 和 DDR 解决方案
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
产品说明
CSD95375Q4M NexFET™ 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。 此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持针对 Windows™ 8启用连接待机。 借助于 PWM 输入三态,静态电流被减少至 130µA,并支持立即响应。 当 SKIP# 被保持在三态时,电流被减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。 这个组合可在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效和高速开关器件。 此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。
产品器件信息
器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
---|---|---|---|---|
CSD95375Q4M | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.5mm x 4.5mm 塑料封装 | 卷带封装 |
CSD95375Q4MT | 7 英寸卷带 | 250 |
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