INA199 系列电压输出电流分流监视器能够在 -0.3V 至 26V 共模电压上的整个分流中感测压降，且与电源电压无关。 提供三个固定增益：50V/V，100V/V，和 200V/V。零漂移架构的低偏移使得在整个分流上能够感测的最大压降低至 10mV 满量程。

这些器件由一个 +2.7V 至 +26V 的单电源供电，汲取一个最大值为100μA 的电源电流。 所有版本的额定温度介于 -40°C 至 +105°C 之间，并且采用 SC70 和薄型四方扁平无引线 (QFN)-10 封装。

• 宽共模范围：-0.3V 至 26V
• 偏移电压：±150μV（最大值） （启用 10mV 满量程的分流器压降）
• 精度
  • ±1.5% 增益误差（温度范围内的最大值）
  • 0.5μV/°C 偏移漂移（最大值）
  • 10ppm/°C 增益漂移（最大值）
• 增益选择：
  • INA199A1/B1：50V/V
  • INA199A2/B2：100V/V
  • INA199A3/B3：200V/V
• 静态电流：100μA（最大值）
• 封装：SC70，薄型四方扁平无引线封装 (QFN)-10

• BQ24380 - 过压/过流保护 IC 和锂离子充电器前端保护 IC，具有 LDO 模式、6.3 OVP
• TXS02326A - 具有自动检测的双电源 2:1 SIM 卡多路复用器/转换器
• TM4C129XNCZAD - Tiva C 系列微控制器
• CSD95372BQ5MC - 同步降压 NexFET 功率级，CSD95372BQ5MC
• LMX2434 - 用于射频个人通信的 5.0 GHz/2.5 GHz PLLatinum 低功耗双路频率合成器
• TPS65721 - 双通道电源管理 IC (PMIC)，具有电池充电器、一个降压转换器和一个 LDO
• UCC27532-Q1 - UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器
• CSD18532NQ5B - 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18532NQ5B
• SN74LS688 - 8 位幅度/等值比较器
• TL16C550C - 具有 16 字节 FIFO 及自动流控制的单路 UART