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SN74CB3Q3306A-EP-双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关
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TI产品 - SN74CB3Q3306A-EP介绍
SN74CB3Q3306A-EP - 双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关

SN74CB3Q3306A-EP是TI公司的一款数字开关产品,SN74CB3Q3306A-EP是双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关,本页介绍了SN74CB3Q3306A-EP的产品说明、应用、特性等,并给出了与SN74CB3Q3306A-EP相关的TI元器件型号供参考。

SN74CB3Q3306A-EP - 双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关 - 数字开关 - 信号开关 - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品描述

SN74CB3Q3306A 是一款高带宽 FET 总线开关,此开关利用一个电荷泵来提升导通晶体管的栅极电压,从而提供一个低平的导通状态电阻 (ron)。 低平导通状态电阻可实现最小传播延迟,并且支持数据输入/输出 (I/O) 端口上的轨到轨切换。 此器件还特有低数据 I/O 电容,以最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失真。 专门设计用于支持高带宽应用,SN74CB3Q3306A 提供非常适合于宽带通信、网络互联、以及数据密集型计算系统的经优化的接口解决方案。

SN74CB3Q3306A 可组成两个 1 位开关,此开关具有分离输出使能 (1OE,2OE) 输入。 它即可用作 2 个 1 位总线开关,也可用作 1 个 2 位总线开关。 当 OE 为低电平时,相关 1 位总线开关打开,并且 A 端口被连接至 B 端口,从而实现两个端口之间的双向数据流。 当 OE 为高电平时,相关 1 位总线开关关闭,并且在 A 与 B 端口之间存在高阻抗状态。

该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。 Ioff 电路可防止在器件断电时电流回流对器件造成损坏。 该器件可在关闭时提供隔离。

为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一个上拉电阻器被连接至 VCC;该电阻器的最小值由驱动器的电流吸入能力来决定。

产品特性

  • 高带宽数据路径(高达 500MHz(1))
  • 支持器件加电与断电的 5V 容限 I/O
  • 工作范围内低且平的导通状态电阻 (ron) 特性 (ron = 4? 典型值)
  • 数据 I/O 端口上的轨到轨切换
    • 3.3V VCC 时的 0 至 5V 切换
    • 2.5V VCC 时的 0 至 3.3V 切换
  • 支持近零传播延迟的双向数据流
  • 低输入/输出电容最大限度地减少 加载和信号失真 (Cio(OFF) = 3.5pF 典型值)
  • 快速开关频率(fOE = 20MHz 最大值)
  • 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(ICC = 0.25mA 典型值)
  • 2.3V 至 3.6V 的 VCC 工作电压范围
  • 数据 I/O 支持 0 至 5 V 信号传输级 (0.8V,1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,3.3V,5V)
  • 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
  • Ioff 支持部分断电模式工作 要获得与 CB3Q 系列性能特点相关的额外信息,请参考 TI 应用报告,,文献编号 SCDA008。
  • 锁断性能超过 100mA 符合 JESD 78,II 类规范的要求
  • 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体模型(A114-B,II 类)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 支持数字和模拟应用:USB 接口,差分信号接口,总线隔离,低失真信号选通

支持国防、航空航天、和医疗应用

  • 受控基线
  • 同一组装和测试场所
  • 同一制造场所
  • 支持军用(-55°C 至 125°C)温度范围
  • 延长的产品生命周期
  • 延长的产品变更通知
  • 产品可追溯性

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