TPS650830是TI公司的一款TI芯片产品，TPS650830是Advanced PMU for Mobile Computers, TPS650830，本页介绍了TPS650830的产品说明、应用、特性等，并给出了与TPS650830相关的TI元器件型号供参考。
TPS650830 - Advanced PMU for Mobile Computers, TPS650830 - TI芯片 - 电源管理多通道IC(PMIC)解决方案 - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
TPS650830 是一款单芯片解决方案电源管理集成电路 (IC)，专为最新的 Intel 处理器而设计，主要应用于由 2 节、3 节或 4 节串联锂离子电池组供电且采用 NVDC 或非 NVDC 电源架构的平板电脑、超极本和笔记本电脑。
TPS650830 应用于 Volume 系统，该系统采用合并式低电压轨，可实现体积最小且成本最低的系统电源解决方案。
TPS650830 可基于 Intel 参考设计提供完整的电源解决方案。 该器件具有 5 个高效降压稳压器 (VR) 和 1 个灌/拉 LDO，可与上电序列逻辑器件搭配使用以管理外部负载开关，从而提供正确的电源轨、排序和保护，其中包括 DDR3 和 DDR4 存储器电源。 该稳压器支持动态电压调节 (DVS)，可最大限度地提高效率（包括联网待机功能）。 高频稳压器采用小型电感和电容，以减小解决方案体积。 可通过 4 个 VR 控制器调节输出功率。 凭借 I2C 接口，可以通过嵌入式控制器 (EC) 轻松加以控制。 每个器件版本均提供 7x7 NFBGA 和 9x9 NFBGA 两种封装。 7x7 NFBGA 封装适用于类型 4 印刷电路板 (PCB)，可实现最小电路板面积。 9x9 NFBGA 封装适用于类型 3 和类型 4 PCB 板，可最大限度地降低成本并缩小电路板面积。
- 5 个可重新配置的稳压器：
- 可在宽输入电压和宽输出电流范围内保持高效
- 可更改电压、电流和序列以优化系统
- 4 个采用外部功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的可变输出电压降压控制器：
- VR1 = 1V；VR3 = 3.3V，VR4 = 1.2V/1.35V/1.1V（对于 DDRx VDDQ），VR5 = 5V
- VIN 范围：5.4V 至 24V
- 采用外部功率 MOSFET，连续输出电流范围为 <1A 至 >10A
- 1 个带有内部功率 MOSFET 的可变输出电压降压转换器：
- VR2 = 1.8V
- VIN 范围：3V 至 3.6V
- 高达 2A 的持续输出电流
- 输出电压直流精度 ±1%；直流 + 交流精度 ±5%，支持差分输出电压感测
- 在超低静态电流模式下，每个控制器或转换器的静态电流典型值为 30μA
- 3 个固定输出电压低压降线性稳压器 (LDO)：
- LDO1：1/2 VR4 固定输出电压 LDO（对于 DDRx VTT）(Vout = VDDQ/2)
- 连续输出电流高达 1A，直流 + 交流精度 ±5%，峰值电流为 2A
- LDO3：3.3V 固定输出电压 LDO，直流精度 ±1%，电流 < 40mA
- 用于外部模数转换器 (ADC) 的高精度参考电源
- 用于 EC_VCC 电源轨的 3.3V 负载开关
- LDO5：5V 固定输出电压 LDO，直流精度 ±1%，电流 < 100mA
- 用于控制器和转换器栅极驱动的电源
- 可自动切换至 5V 稳压器以实现高效率
- LDO1：1/2 VR4 固定输出电压 LDO（对于 DDRx VTT）(Vout = VDDQ/2)
- 8 个用于外部稳压器、负载开关或 LDO 的电源正常状态比较器和序列逻辑
- 支持电源按钮逻辑且可编程响应时间
- 2 个通用电平转换器
- 用于实时时钟 (RTC) 域的备用电池/3.1V LDO 选择器输出
- 电源检测和监视：适配器、电池 1 和电池 2
- 过温保护比较器，用于堆叠式正温度系数 (PTC) 热敏电阻或单个负温度系数 (NTC) 热敏电阻
- 1Hz 嵌入式控制器 (EC) 唤醒时钟输出
- 先进的系统复位控制
- I2C 接口：标准模式 (100kHz)，快速模式 (400kHz)，快速模式+ (1000kHz)
- NVDC 或非 NVDC 电源系统架构
- 2 节、3 节或 4 节串联锂电池供电类产品
- 平板电脑、超极本、二合一电脑和笔记本电脑
- 移动 PC、一体化计算机、移动因特网设备
- 现场可编程逻辑门阵列 (FPGA)，工业计量设备，个人医疗产品
