TPS73218-Q1 - 具有反向电流保护的无电容、NMOS、250mA 低压降稳压器
TPS73218-Q1是TI公司的一款单通道LDO产品,TPS73218-Q1是具有反向电流保护的无电容、NMOS、250mA 低压降稳压器,本页介绍了TPS73218-Q1的产品说明、应用、特性等,并给出了与TPS73218-Q1相关的TI元器件型号供参考。
TPS73218-Q1 - 具有反向电流保护的无电容、NMOS、250mA 低压降稳压器 - 单通道LDO - 线性稳压器(LDO) - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)
产品描述
TPS732xx-Q1 系列低压降 (LDO) 稳压器使用一款全新的拓扑结构:在一个电压跟随器配置中的一个 NMOS 导通元件。 这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定,甚至可实现无电容器运行。 它还提供高反向阻断(低反向电流)和接地引脚电流,此电流在所有输出电流上几乎保持恒定。
TPS732xx-Q1 使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺来在传送极低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。 当不被启用时,流耗少于 1μA 并且非常适合于便携式应用。 极低的输出噪声(30μVRMS,使用 0.1μF CNR时测得)使此器件非常适合于为 VCO 供电。 这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。
产品特性
- 符合汽车应用
- 具有符合 AEC-Q100 的下列结果:
- 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
- 与无输出电容器或者任何电容值或类型的电容器一起使用时保持稳定
- 输入电压范围:1.7V 至 5.5V
- 超低压降电压:在 250mA 时为 40mV(典型值)
- 绝佳的负载瞬态响应—具有或没有可选输出电容器
- 全新的 NMOS 拓扑结构可提供低反向漏电流
- 低噪声:30μVRMS典型值(10kHz 至 100kHz)
- 0.5% 初始精度
- 1% 总体准确度(在线路、负载和温度上)
- 关断模式中 IQ最大值少于 1μA
- 热关断和特定的最小/最大电流限制保护
- 提供多个输出电压版本
- 1.20V 至 5V 间的固定输出
- 可提供定制输出
应用范围
- 针对开关电源的后置调节
- 诸如压控振荡器 (VCO) 的噪声敏感电路
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