UCC27519 - 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器
UCC27519是TI公司的一款低侧驱动器产品,UCC27519是4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器,本页介绍了UCC27519的产品说明、应用、特性等,并给出了与UCC27519相关的TI元器件型号供参考。
UCC27519 - 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器 - 低侧驱动器 - MOSFET和IGBT栅极驱动器 - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)
产品特性
- 低成本栅极驱动器,是 NPN 和 PNP 分立解决方案的优质替代产品
- 与 TI 的 TPS2828 和 TPS2829 器件引脚兼容
- 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流对称驱动
- 快速传播延迟(典型值 17ns)
- 快速上升和下降时间(典型值 8ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平(确保加电和断电时无毛刺脉冲运行)
- CMOS 输入逻辑阈值(带滞后的电源电压的函数)
- 实现高抗噪性的滞后逻辑阈值
- 实现使能功能的 EN 引脚(可不连接)
- 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- -40°C 至 140°C 的运行温度范围
- 5 引脚 DBV 封装(小外形尺寸晶体管封装 (SOT)-23)
产品应用
- 开关模式电源
- 直流-直流转换器
- 用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
- 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
- 用于新上市的宽带隙电源器件(例如 GaN)的栅极驱动器
产品说明
UCC27518 和 UCC27519 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。 UCC27518 和 UCC27519 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为 17ns)。
当 VDD = 12V 时,UCC27518 和 UCC27519 可提供峰值为 4A 的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。
UCC27518 和 UCC27519 具有 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围,以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。 当超出 VDD 工作范围时,VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路可使输出保持低电平。 该器件不仅能够工作在低于 5V 的低电压下,还具备同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
产品器件信息
器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
UCC27518 | SOT-23 (5) | 2.90mm x 1.60mm |
UCC27519 |
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