CSD13303W1015
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-DSBGA
技术参数：MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
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参数详情：
制造商产品型号：CSD13303W1015制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：31A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20mOhm @ 1.5A、 4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.7nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：715pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.65W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-DSBGACSD13303W1015的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
