CSD17313Q2
制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:6-WSON(2x2)
技术参数:MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
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参数详情:
制造商产品型号:CSD17313Q2制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:NexFET?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,8V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 4A,8V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.7nC @ 4.5VVgs(最大值):+10V,-8V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):340pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):2.3W(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:6-WSON(2x2)CSD17313Q2的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。