CSD17577Q3AT
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（3x3.15）
技术参数：MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
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参数详情：
制造商产品型号：CSD17577Q3AT制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 16A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2310pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），53W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSONP（3x3.15）CSD17577Q3AT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
