CSD18511KTTT
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3
技术参数：MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
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参数详情：
制造商产品型号：CSD18511KTTT制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Ta），194A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5940pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：188W（Ta）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DDPAK/TO-263-3CSD18511KTTT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
