CSD18543Q3AT
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
技术参数：MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
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参数详情：
制造商产品型号：CSD18543Q3AT制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.6 毫欧 @ 12A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 30VFET功能：标准功率耗散（最大值）：66W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSON（3.3x3.3）CSD18543Q3AT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
