CSD19535KTT
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3
技术参数：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
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参数详情：
制造商产品型号：CSD19535KTT制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：98nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7930pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：300W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DDPAK/TO-263-3CSD19535KTT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
