CSD25404Q3T
制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSON(3.3x3.3)
技术参数:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
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参数详情:
制造商产品型号:CSD25404Q3T制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:NexFET?零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):104A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 10A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14.1nC @ 4.5VVgs(最大值):±12V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2120pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):2.8W(Ta),96W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:8-VSON(3.3x3.3)CSD25404Q3T的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。