CSD75207W15
制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:9-UFBGA,DSBGA
技术参数:MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
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参数详情:
制造商产品型号:CSD75207W15制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)描述:MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:NexFET?零件状态:有源FET类型:2 P 沟道(双)共源FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):-25°C时电流-连续漏极(Id):3.9A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):162 毫欧 @ 1A,1.8V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.7nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):595pF @ 10V功率-最大值:700mW工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:9-UFBGA,DSBGACSD75207W15的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。