CSD86336Q3D
制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerTDFN
技术参数:25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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参数详情:
制造商产品型号:CSD86336Q3D制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)描述:25V POWERBLOCK N CH MOSFET系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:NexFET?零件状态:有源FET类型:2 个 N 通道(半桥)FET功能:逻辑电平栅极,5V 驱动漏源电压(Vdss):25V25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Ta)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9.1 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA,1.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.8nC @ 45V,7.4nC @ 45V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):494pF @ 12.5V,970pF @ 12.5V功率-最大值:6W工作温度:-55°C ~ 125°C安装类型:表面贴装型封装:8-PowerTDFNCSD86336Q3D的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。