CSD86350Q5D
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
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参数详情：
制造商产品型号：CSD86350Q5D制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：40A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.7nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1870pF @ 12.5V功率-最大值：13W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerLDFNCSD86350Q5D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
