CSD86350Q5DT
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerLDFN
技术参数：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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参数详情：
制造商产品型号：CSD86350Q5DT制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA，1.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.7nC，25nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1870pF，4000pF @ 12.5V功率-最大值：13W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerLDFNCSD86350Q5DT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
