CSD86356Q5DT
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
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参数详情：
制造商产品型号：CSD86356Q5DT制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.85V @ 250μA，1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V功率-最大值：12W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNCSD86356Q5DT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
