CSD87313DMS
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
技术参数：MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
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参数详情：
制造商产品型号：CSD87313DMS制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共漏FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4290pF @ 15V功率-最大值：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerWDFNCSD87313DMS的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
