CSD87334Q3DT
制造厂商：TI（Texas Instruments，德州仪器）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
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参数详情：
制造商产品型号：CSD87334Q3DT制造商：TI公司（Texas Instruments，德州仪器）描述：MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 12A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.3nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1260pF @ 15V功率-最大值：6W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFNCSD87334Q3DT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
