CSD88539NDT
制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
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参数详情:
制造商产品型号:CSD88539NDT制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:NexFET?零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):15A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):9.4nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):741pF @ 30V功率-最大值:2.1W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)CSD88539NDT的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。