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ULN2003AINSR
  • 制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
  • 类别封装:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列,封装:16-SOIC(0.209,5.30mm 宽)
  • 技术参数:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:ULN2003AINSR
  • 制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)
  • 描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:7 NPN 达林顿
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):500mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
  • 电流-集电极截止(最大值):50μA
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):-
  • 功率-最大值:-
  • 频率-跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-SOIC(0.209,5.30mm 宽)
  • ULN2003AINSR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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