ULN2003V12DR
制造厂商:TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:MOSFET 7CH 16SOIC
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参数详情:
制造商产品型号:ULN2003V12DR制造商:TI公司(Texas Instruments,德州仪器)描述:MOSFET 7CH 16SOIC系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:-FET功能:-漏源电压(Vdss):-25°C时电流-连续漏极(Id):-不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-不同Id时Vgs(th)(最大值):-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-功率-最大值:-工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)ULN2003V12DR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。